題庫立即開始練習

初考-電子工程電子學大意113 年第 3 題單選題

室溫下的 N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為 $1 0^{15}$ $c m^{- 3}$ ，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？

A多數載子濃度大得多

B大約相等正確答案

C施體離子濃度大得多

D兩者無關

答案與詳解

B

正確答案

室溫下施體幾乎完全游離,且摻雜濃度遠大於本質載子濃度,故電子濃度約等於施體離子濃度。

為什麼答案是 B

正確。室溫下施體完全游離,且 $N_{D} ≫ n_{i}$ ,由電中性 $n \approx N_{D}^{+}$ ,兩者幾乎相等。

載入中…

電子學大意相關題目

在 P 型半導體材料中，電流傳導的主要載子為：

電子學大意 · 104 年 · 第 10 題

構成半導體載子運動的基本機制為：

電子學大意 · 104 年 · 第 1 題

在 P 型半導體中的主要載子是：

電子學大意 · 104 年 · 第 5 題

pn 接面二極體，p 型和 n 型雙邊的摻雜濃度皆為 1016cm-3，該接面空…

電子學大意 · 115 年 · 第 2 題

想練更多電子學大意考古題？

Examly 收錄 38 萬+ 道歷屆題目，每題都有像這樣的精選詳解。免費下載，立即開練。

Download on theApp Store即將推出Google Play