104 年 · 電子學大意

構成半導體載子運動的基本機制為：

二極體零組件不具有下列何種功能？

下列有關於理想運算放大器特性的描述，何者錯誤？

對一場效電晶體（FET）而言，三極管區（Triode Region）與飽和區（Saturation Region）的分界點為：

在下列各選項中，那一個選項對 MOS 電晶體的爾利電壓（Early Voltage） $\mathrm{V}_{\mathrm{…

BJT 電晶體操作在飽和區模式下，下列敘述之接面情況何者正確？

某一白金溫測電阻，在 $0^{\circ}C$ 時之電阻值為 $100 \Omega$ ，其溫度係數為 $0.004 \Omeg…

如下圖電路，設二極體為理想二極體，若要使二極體導通，電壓源 E 至少應為多大？

在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascode）放大器組態中，具有最大輸入電阻的是：

若要使一操作於主動區的 BJT 的轉導 gm 值增為 2 倍，可藉由下列何種方式來達成？

在共射極組態放大器中加入射極電阻的好處是：

關於理想轉阻放大器（Transimpedance Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？

某一電晶體的單一增益頻寬（Unity-gain Bandwidth）為 500 MHz，當此電晶體被使用在電壓增益設計為 50 …

有關 BJT 放大器米勒效應（Miller Effect）的敘述，下列何者正確？

電晶體的高頻模型是於電晶體低頻小訊號模型中加入：

關於二極體接面之崩潰效應，下列敘述何者正確？

有一波德圖（Bode Plot）線段斜率為 20 dB/decade，即每10倍頻率產生 20 dB 的變化，今欲以 dB/oc…

若運算放大器反相積分器之輸入訊號為方波，則輸出波形為：

在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascode）放大器組態中，具有最小頻寬的是：

通常 P 通道增強型 MOSFET 用為放大器時，閘源極間電壓 VGS 必須加：

在室溫下工作在主動模式之 BJT 電晶體，其集極電流 IC=2.5 mA，則其轉導（Transconductance）參數 gm…

某光檢測用光二極體的量子效率為 1，其接面面積 $2 \times 10^{-2} \, cm^{2}$ ，而入射光子通量為 $…

在邏輯電路製作上，下列何者不是 CMOS 技術的優點？

下圖為理想運算放大器電路，假設運算放大器的電源電壓為 ±10 V，則電路中 vO 輸出為多少？

如下圖所示之理想運算放大器電路，其中 $A_{O}=\infty$ ，求此電路之電壓增益為何？

考慮輸入一方波訊號至下圖的箝位電路中，二極體為理想，下列關於此電路操作的敘述何者錯誤？

如圖所示之電路，二極體導通之壓降皆為 0.7 V，則 VO 之值為何？

如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（Saturation Region），下列何種調整方式使電晶體無法進入主動區（Forwar…

圖為共射極放大器，若 $A_{v}=\left|V_{0}/V_{i}\right|$ ，則下列敘述何者正確？

如圖所示之電路，其電晶體參數： $\frac{1}{2}\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}=0.5\ mA/V^{…

如圖所示之電路，若BJT操作在主動區（Forward Active Region），轉導值（ $\mathrm{g}_{\mat…

如圖所示之電路，假設電晶體操作在飽和區，且忽略電晶體之輸出電阻及所有其他電容，則當頻率為 77 MHz 時，其增益大小與低頻增益…

如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，IC= 1 mA，VT= 26 mV，β = 100，C…

如圖之 MOS 差動放大器（Differential Amplifier）， $Q_1 = Q_2$ ，其臨界電壓（Thresh…

圖示理想二極體電路中，若輸入 vI 為弦波，峰值電壓 5 V，下列何者為 vO 的波形？

如圖所示之理想運算放大器振盪電路，電源為 $V_{CC} = \pm 15V$ ，則 $V_{O}$ 之週期為何？

圖示雙極性接面電晶體（BJT）構成的電流源電路，當電路正常工作時，電壓VO 可容許的最小值約為若干 V？

如圖之差動放大器（Differential amplifier），電晶體 $Q_{1}=Q_{2}$ ，工作於飽和模式（Satu…

如圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？

若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω，則電阻 1 kΩ 上之電流為何？