在下列各選項中，那一個選項對 MOS 電晶體的爾利電壓（Early Voltage） 的影響最大：
A通道的長度 L正確答案
B通道的寬度 W
C氧化層的厚度 $t_{ox}$
D氧化層的介電常數 $\varepsilon_{ox}$
答案與詳解
逐選項解析
A通道的長度 L✓ 正確
B通道的寬度 W✕ 易錯陷阱
通道寬度 W 主要影響汲極電流 ID 與轉導 gm（ID ∝ W/L），但不直接決定 VA。常被誤以為 W 與 L 同等重要而掉入陷阱。
C氧化層的厚度 $t_{ox}$✕ 錯誤
氧化層厚度 tox 影響 Cox = εox/tox，進而影響 gm 與臨界電壓 Vt，但對 Early Voltage 沒有主導性影響。
D氧化層的介電常數 $\varepsilon_{ox}$✕ 錯誤
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