五等-電子工程電子學大意104 年第 28 題單選題
如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（Saturation Region），下列何種調整方式使電晶體無法進入主動區（Forward Active Region）？
A提高 R1正確答案
B提高 R2
C提高 Vcc
D減低 Vb
A正確答案
電晶體在飽和區要進入主動區，需降低基極電流或提高集極電壓。提高R1會使集極電流路徑阻抗增大，反而讓VCE更難滿足主動區條件。
為什麼答案是 A
提高R1會使流過R1的集極電流在R1上產生更大壓降，導致VO（集極端）電壓更低，VCE更小，電晶體更深陷飽和區，無法進入主動區（VCE需 > VCE(sat) ≈0.2V）。
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完整詳解
Pro · 無限重點 電晶體在飽和區要進入主動區，需降低基極電流或提高集極電壓。提高R1會使集極電流路徑阻抗增大，反而讓VCE更難滿足主動區條件。
飽和區→主動區需讓VCE增大或IB減小。提高R1使集極端壓降更大，VCE反而更小，無法脫離飽和，故選A。
逐選項分析
A✓ 正確
提高R1會使流過R1的集極電流在R1上產生更大壓降，導致VO（集極端）電壓更低，VCE更小，電晶體更深陷飽和區，無法進入主動區（VCE需 > VCE(sat) ≈0.2V）。
B✕ 陷阱
提高R2會使射極電位上升，等效於降低VBE的驅動，減少基極電流IB，有助於讓電晶體從飽和退出進入主動區，故此方法可使電晶體進入主動區。
C✕
提高Vcc會使集極端可用電壓增大，VCE隨之增大，更容易滿足主動區條件VCE > VBE，故此方法可使電晶體進入主動區。
D✕
減低Vb（基極偏壓電源）會降低VBE，使IB減小，IC減小，VCE上升，電晶體從飽和區退出進入主動區，故此方法有效。
BJT操作區域判斷條件（NPN型）
| 操作區 | VBE條件 | VBC條件 | VCE條件 |
|---|
| 截止區 (Cutoff) | < 0.5V（截止） | 反偏 | ≈ VCC |
| 主動區 (Active) | ≈ 0.7V（導通） | 反偏 | > VCE(sat) ≈ 0.2V |
| 飽和區 (Saturation) | ≈ 0.7V（導通） | 順偏 | ≈ 0.2V（很小） |
考生常誤以為「提高R1讓集極電流更難流通，所以IB相對過大，應該更飽和」方向正確，但忽略R1增大後集極端電壓VO降低，VCE更小，反而讓電晶體更深陷飽和，根本無法進入主動區。本題是反向題，要選「無法進入主動區」的選項。 
