如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（Saturation Region），下列何種調整方式使電晶體無法進入主動區（Forward Active Region）？

提高R1會使流過R1的集極電流在R1上產生更大壓降，導致VO（集極端）電壓更低，VCE更小，電晶體更深陷飽和區，無法進入主動區（VCE需 > VCE(sat) ≈0.2V）。