如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（Saturation Region），下列何種調整方式使電晶體無法進入主動區（Forward Active Region）？
A提高 R1正確答案
B提高 R2
C提高 Vcc
D減低 Vb
答案與詳解
為什麼答案是 A
提高R1會使流過R1的集極電流在R1上產生更大壓降，導致VO（集極端）電壓更低，VCE更小，電晶體更深陷飽和區，無法進入主動區（VCE需 > VCE(sat) ≈0.2V）。
考點：飽和→主動區條件考點：射極電阻負回授考點：VCE與主動區考點：基極偏壓控制
載入中…
