電晶體的高頻模型是於電晶體低頻小訊號模型中加入：
A電晶體內部的電容效應正確答案
B電晶體內部的電阻效應
C電晶體內部的相依電流源效應
D電晶體內部的相依電壓源效應
答案與詳解
為什麼答案是 A
正解。電晶體 PN 接面在高頻時，接面電容 (Cπ、Cμ) 的阻抗 Xc=1/(ωC) 變小，形成訊號旁路導致增益滾降。高頻混合π模型就是在低頻模型上加入這些電容。
考點：高頻電容效應考點：低頻已有電阻考點：低頻已有電流源考點：相依源非高頻專屬
載入中…
正解。電晶體 PN 接面在高頻時，接面電容 (Cπ、Cμ) 的阻抗 Xc=1/(ωC) 變小，形成訊號旁路導致增益滾降。高頻混合π模型就是在低頻模型上加入這些電容。
