電晶體的高頻模型是於電晶體低頻小訊號模型中加入：
A電晶體內部的電容效應正確答案
B電晶體內部的電阻效應
C電晶體內部的相依電流源效應
D電晶體內部的相依電壓源效應
答案與詳解
逐選項解析
A電晶體內部的電容效應✓ 正確
B電晶體內部的電阻效應✕ 易錯陷阱
錯誤。電阻效應 (rπ、ro) 在低頻小訊號模型中就已存在，並非高頻才加入的元件，屬於基本模型組成。
C電晶體內部的相依電流源效應✕ 錯誤
錯誤。相依電流源 (gm·vπ) 是低頻混合π模型的核心元件，用來表達 BJT 的電流放大特性，並非高頻才加的。
D電晶體內部的相依電壓源效應✕ 錯誤
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