BJT 電晶體操作在飽和區模式下，下列敘述之接面情況何者正確？
AEB 接面逆向偏壓，CB 接面逆向偏壓
BEB 接面順向偏壓，CB 接面逆向偏壓
CEB 接面逆向偏壓，CB 接面順向偏壓
DEB 接面順向偏壓，CB 接面順向偏壓正確答案
答案與詳解
逐選項解析
AEB 接面逆向偏壓，CB 接面逆向偏壓截止區✕ 錯誤
EB、CB 皆逆向偏壓是『截止區 (Cut-off)』，電晶體關閉無電流，不是飽和區。
BEB 接面順向偏壓，CB 接面逆向偏壓主動區✕ 易錯陷阱
EB 順偏、CB 逆偏是『主動區 (Active)』，用於放大訊號，Ic=βIb。易與飽和區混淆，是最經典陷阱。
CEB 接面逆向偏壓，CB 接面順向偏壓✕ 錯誤
DEB 接面順向偏壓，CB 接面順向偏壓✓ 正確
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