五等-電子工程電子學大意104 年第 6 題單選題
BJT 電晶體操作在飽和區模式下，下列敘述之接面情況何者正確？
AEB 接面逆向偏壓，CB 接面逆向偏壓
BEB 接面順向偏壓，CB 接面逆向偏壓
CEB 接面逆向偏壓，CB 接面順向偏壓
DEB 接面順向偏壓，CB 接面順向偏壓正確答案
D正確答案
BJT 飽和區兩個接面都順向偏壓，EB、CB 皆順偏，集極電流不再受基極控制。
為什麼答案是 D
飽和區的定義就是 EB 與 CB 兩個 PN 接面都順向偏壓，此時 Vce(sat)≈0.2V，電晶體像導通開關，Ic 不再與 Ib 成線性關係。
載入中…
完整詳解
Pro · 無限重點 BJT 飽和區兩個接面都順向偏壓，EB、CB 皆順偏，集極電流不再受基極控制。
口訣：截止(雙逆)、主動(EB順/CB逆)、飽和(雙順)、反向主動(EB逆/CB順)。
逐選項分析
A✕
EB、CB 皆逆向偏壓是『截止區 (Cut-off)』，電晶體關閉無電流，不是飽和區。
B✕ 陷阱
EB 順偏、CB 逆偏是『主動區 (Active)』，用於放大訊號，Ic=βIb。易與飽和區混淆，是最經典陷阱。
C✕
EB 逆偏、CB 順偏是『反向主動區 (Reverse Active)』，實務少用，β 值很小，不是飽和區。
D✓ 正確
飽和區的定義就是 EB 與 CB 兩個 PN 接面都順向偏壓，此時 Vce(sat)≈0.2V，電晶體像導通開關，Ic 不再與 Ib 成線性關係。
BJT 四大工作區 (必背)
| 工作區 | EB 接面 | CB 接面 | 用途 |
|---|
| 截止區 Cut-off | 逆偏 | 逆偏 | 開關 OFF |
| 主動區 Active | 順偏 | 逆偏 | 訊號放大 |
| 飽和區 Saturation | 順偏 | 順偏 | 開關 ON |
| 反向主動區 | 逆偏 | 順偏 | 少用 |
最常見陷阱是把『主動區 (B 選項)』誤選為飽和區。記住關鍵：飽和=『雙順偏』，因為此時 CB 接面也被正向推到導通，電流『飽和』無法再靠 Ib 放大。 
