某 $\beta = 100$ 之 npn 雙極性接面電晶體，若 $I_{B} = 10 \mu A$ ，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？ (A) IC = 1 mA、IE = 1.01 mA (B) IC = 0.5 mA、IE = 0.51 mA (C) IC = 1.01 mA、IE = 1 mA (D) IC = 0.8 mA、IE = 0.79 mA

初考-電子工程電子學大意111 年第 23 題單選題考點：順向主動區考點：飽和區條件

某 $β = 100$ 之 npn 雙極性接面電晶體，若 $I_{B} = 10 μ A$ ，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？

I_{C} = 1 m A

、

I_{E} = 1.01 m A

I_{C} = 0.5 m A

、

I_{E} = 0.51 m A

正確答案

I_{C} = 1.01 m A

、

I_{E} = 1 m A

I_{C} = 0.8 m A

、

I_{E} = 0.79 m A

答案與詳解

正確答案

BJT 進入飽和區的關鍵特徵是「實際集極電流 IC 小於 βIB」，且任何工作區都必須遵守電流守恆定律 IE = IC + IB。

AIC = 1 mA、IE = 1.01 mA順向主動區✕ 錯誤

IC = 1 mA 剛好等於 βIB (100 × 10μA)，且 IE = 1 + 0.01 = 1.01 mA 符合電流守恆。此狀態電晶體工作在「順向主動區」或主動區邊緣，而非飽和區。

BIC = 0.5 mA、IE = 0.51 mA飽和區條件✓ 正確

IC = 0.5 mA 小於 βIB (1 mA)，代表電晶體已進入飽和區（無法提供足夠的 β 倍放大）。同時 IE = 0.5 + 0.01 = 0.51 mA，完全符合 KCL (IE = IC + IB)，為正確描述。

CIC = 1.01 mA、IE = 1 mA✕ 易錯陷阱

DIC = 0.8 mA、IE = 0.79 mA✕ 易錯陷阱

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