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初考-電子工程電子學大意111 年第 32 題單選題

圖示 PMOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt ＝ -0.5 V，若 RG1 ＝ 3 MΩ、RG2 ＝ 2 MΩ、VDD ＝ 5 V，欲電晶體在飽和區工作，電壓 VD 的最大值應為若干伏特？

題目附圖
A4 V
B3.5 V
C2.5 V正確答案
D2 V
答案與詳解
C
正確答案
PMOS飽和條件 \(V_{DG}\le |V_t|\)，由分壓求 \(V_G=2V\)，得 \(V_D\le 2.5V\)。
載入中…

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