題庫立即開始練習

初考-電子工程電子學大意111 年第 32 題單選題

圖示 PMOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_{t} = - 0.5 V$ ，若 $R_{G 1} = 3 M Ω$ 、 $R_{G 2} = 2 M Ω$ 、 $V_{D D} = 5 V$ ，欲電晶體在飽和區工作，電壓 $V_{D}$ 的最大值應為若干伏特？

題目圖片

A4 V

B3.5 V

C2.5 V正確答案

D2 V

答案與詳解

C

正確答案

PMOS飽和條件 \(V_{DG}\le |V_t|\)，由分壓求 \(V_G=2V\)，得 \(V_D\le 2.5V\)。

為什麼答案是 C

飽和區邊界 \(V_D=V_G+|V_t|=2+0.5=2.5V\)。

載入中…

電子學大意相關題目

圖中電晶體 M1 之臨界電壓 VT = 1V，若 M1 操作在飽和區，電流源為理…

電子學大意 · 108 年 · 第 26 題

如圖所示為一共源極（common source）放大器（偏壓電路未繪示），該電路…

電子學大意 · 104 年 · 第 25 題

倍壓電路的輸出電壓，取自下列何種元件的跨壓？

電子學大意 · 115 年 · 第 17 題

以增強型 N 通道 MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？

電子學大意 · 115 年 · 第 8 題

想練更多電子學大意考古題？

Examly 收錄 38 萬+ 道歷屆題目，每題都有像這樣的精選詳解。免費下載，立即開練。

Download on theApp Store GET IT ONGoogle Play