圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_t$ = 1 V、${\mu }_n{C}_{ox}(W/L)$ = 2 mA/V${}^2$，若電晶體在飽和區工作，則電壓 $V_D$ 的最小值為若干 V？

由左側分壓電路可知 VG = 4V × (2MΩ / 4MΩ) = 2V。MOSFET 工作於飽和區的條件為 VDS ≥ VGS - Vt，展開為 VD - VS ≥ VG - VS - Vt，兩邊消去 VS 得到 VD ≥ VG - Vt。代入數值 VD ≥ 2V - 1V = 1V，故最小值為 1V。