圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_{t}=1\ V$ 、 $\mu_{n}C_{ox}(W/L)=2\ mA/V^{2}$ ，若電晶體在飽和區工作，則電壓 $V_{D}$ 的最小值為若干 V？ (A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4

五等-電子工程電子學大意109 年第 3 題單選題考點：飽和區條件考點：數值混淆

圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_{t} = 1 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 2 m A / V^{2}$ ，若電晶體在飽和區工作，則電壓 $V_{D}$ 的最小值為若干 V？

A1正確答案

答案與詳解

正確答案

MOSFET飽和區條件為 VD ≥ VG - Vt，算出 VG=2V 後即可秒解 VD 最小值為 1V。

逐選項解析

A1飽和區條件✓ 正確

由左側分壓電路可知 VG = 4V × (2MΩ / 4MΩ) = 2V。MOSFET 工作於飽和區的條件為 VDS ≥ VGS - Vt，展開為 VD - VS ≥ VG - VS - Vt，兩邊消去 VS 得到 VD ≥ VG - Vt。代入數值 VD ≥ 2V - 1V = 1V，故最小值為 1V。

B2數值混淆✕ 易錯陷阱

2V 為閘極電壓(VG)的數值，並非 VD 處於飽和區的最小值。

C3✕ 錯誤

D4✕ 易錯陷阱

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