地方特考電子學大意111 年第 6 題單選題工作在飽和區的空乏型 N 通道 MOSFET,IDSS = 4 mA,VTH = -3 V,若 ID =16 mA,VGS 為何?A3 V正確答案B6 VC9 VD12 V 答案與詳解