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五等-電子工程電子學大意111 年第 6 題單選題

工作在飽和區的空乏型 N 通道 MOSFET， $I_{D S S}$ = 4 mA， $V_{T H}$ = -3 V，若 $I_{D}$ =16 mA， $V_{GS}$ 為何？

A3 V正確答案

B6 V

C9 V

D12 V

答案與詳解

A

正確答案

掌握空乏型 MOSFET 飽和區電流公式 ID = IDSS(1 - VGS/VTH)²，代入數值求解並利用導通條件排除不合解。

載入中…

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