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地方特考電子學大意1116單選題

工作在飽和區的空乏型 N 通道 MOSFET, = 4 mA, = -3 V,若 =16 mA, 為何?

A3 V正確答案
B6 V
C9 V
D12 V
答案與詳解
A
正確答案
掌握空乏型 MOSFET 飽和區電流公式 ID = IDSS(1 - VGS/VTH)²,代入數值求解並利用導通條件排除不合解。

為什麼答案是 A

正確。將 ID=16mA, IDSS=4mA, VTH=-3V 代入 Shockley 方程式,解得 VGS=3V 或 -9V。因空乏型 NMOS 必須滿足 VGS > VTH 才能導通,故 3V 為唯一合理解。

考點:Shockley方程式考點:計算錯誤考點:導通條件
載入中…

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