已知圖中電晶體 $Q_{1}$ 之 $\beta_{1}=150$ ， $r_{\pi1}=2.2\ k\Omega$ ， $Q_{2}$ 之 $\beta_{2}=220$ ， $r_{\pi2}=1.4\ k\Omega$ 。如需考慮耦合電容器 $C_{C}$ 對電壓增益的影響，且欲控制其 3dB 頻率在 100 Hz 以下，則 $C_{C}$ 的大小可以是下列何者？

正確答案為 D。耦合電容決定低頻3dB頻率，需計算等效電阻後反推電容值，答案須滿足f_L<100Hz條件。

五等-電子工程電子學大意111 年第 31 題單選題

已知圖中電晶體 $Q_{1}$ 之 $β_{1} = 150$ ， $r_{π 1} = 2.2 k Ω$ ， $Q_{2}$ 之 $β_{2} = 220$ ， $r_{π 2} = 1.4 k Ω$ 。如需考慮耦合電容器 $C_{C}$ 對電壓增益的影響，且欲控制其 3dB 頻率在 100 Hz 以下，則 $C_{C}$ 的大小可以是下列何者？

A22 nF

B220 nF

2.2 μ F

22 μ F

正確答案

答案與詳解

正確答案

耦合電容決定低頻3dB頻率，需計算等效電阻後反推電容值，答案須滿足f_L<100Hz條件。

22μF提供足夠低頻旁路，確保3dB頻率低於100Hz。符合設計裕度要求，為工程實務上合理且安全的選擇。

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