已知圖中電晶體 Q1 之 ${\beta }_1=150$，$r_{\pi 1}=2.2\mathrm{k\Omega }$，Q2 之 ${\beta }_2=220$，$r_{\pi 2}=1.4\mathrm{k\Omega }$。如需考慮耦合電容器 $C_C$ 對電壓增益的影響，且欲控制其 3dB 頻率在 100 Hz 以下，則 $C_C$ 的大小可以是下列何者？

22μF：CC所見等效電阻：左側Q1集極看入≈3.4kΩ（集極電阻主導），右側為15kΩ//(40kΩ//rπ2_eff)。rπ2_eff = rπ2 + (1+β2)×1.6k ≈ 1.4k+221×1.6k ≈ 354.8kΩ，故右側 ≈ 15kΩ//40kΩ//354.8kΩ ≈ 10.3kΩ。R_total = 3.4k+10.3k ≈ 13.7kΩ。C_min = 1/(2π×100×13700) ≈ 116nF。但此為最小值，實際設計需留裕量且電容為標準值，22μF遠大於116nF，可確保f3dB遠低於100Hz，符合『100Hz以下』要求。