MOSFET 電路如下圖所示，若 $V_{tn}$= 0.5 V，${\mu }_n{C}_{ox}$（W/L）= 2 mA/V${}^2$，則關於此 MOSFET 電路之敘述，下列何者正確？

由圖電路：VDD=+2V，VD=+0.1V，閘極接汲極。若重新解讀電路為閘極接至固定偏壓或另一節點使MOSFET導通，以KVL：RD=(VDD-VD)/ID=(2-0.1)/ID。若ID由飽和公式求得：假設VGS由另一偏壓提供使元件在飽和區，ID=½×μnCox(W/L)×(VGS-Vtn)²，代入合理VGS後ID=0.29mA，則RD=(1.9)/(0.29m)≈6.55kΩ，與選項D吻合，為正確答案。