某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_{t}=1\ V$ 、 $\mu_{n}C_{ox}(W/L)=25\ \mu A/V^{2}$ ，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，汲極（Drain）電壓 1.5 V，閘極（Gate）電壓 1.0 V，則此電晶體工作在：

正確答案為 B。$V_{GS}=0.5\text{V} < V_t=1\text{V}$,故電晶體截止,選(B)。

鐵路人員考試高員三級-電子工程電子學大意111 年第 2 題單選題

某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_{t} = 1 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 25 μ A / V^{2}$ ，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，汲極（Drain）電壓 1.5 V，閘極（Gate）電壓 1.0 V，則此電晶體工作在：

A飽和區（Saturation Region）

B截止區（Cutoff Region）正確答案

C三極體區（Triode Region）

D主動區（Active Region）

答案與詳解

正確答案

V_{GS} = 0.5 V < V_{t} = 1 V

,故電晶體截止,選(B)。

正確。 $V_{GS} = 0.5 V < V_{t} = 1 V$ ,通道無法形成,電晶體截止。

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