鐵路人員考試高員三級-電子工程電子學大意111 年第 2 題單選題
某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt=1 V、μnCox(W/L)=25 μA/V2，今若其源極（Source）電壓 VS=0.5 V，汲極（Drain）電壓 VD=1.5 V，閘極（Gate）電壓 VG=1.0 V，則此電晶體工作在：
A飽和區（Saturation Region）
B截止區（Cutoff Region）正確答案
C三極體區（Triode Region）
D主動區（Active Region）
B正確答案
VGS=0.5V<Vt=1V,故電晶體截止,選(B)。
為什麼答案是 B
正確。VGS=0.5V<Vt=1V,通道無法形成,電晶體截止。
載入中…
完整詳解
Pro · 無限重點 $V_{GS}=0.5\text{V} < V_t=1\text{V}$,故電晶體截止,選(B)。
1. 計算 $V_{GS}=V_G-V_S=1.0-0.5=0.5\text{V}$
2. 比較 $V_{GS}$ 與 $V_t$:$0.5 < 1$
3. 由於 $V_{GS}<V_t$,通道未形成,$I_D=0$
4. 電晶體工作於截止區,選(B)。
逐選項分析
A✕
飽和區需 $V_{GS}>V_t$ 且 $V_{DS}\geq V_{GS}-V_t$,此處 $V_{GS}<V_t$,不符。
B✓ 正確
正確。$V_{GS}=0.5\text{V}<V_t=1\text{V}$,通道無法形成,電晶體截止。
C✕
三極體區需 $V_{GS}>V_t$ 且 $V_{DS}<V_{GS}-V_t$,此處 $V_{GS}<V_t$,不符。
D✕
主動區為 BJT 用語(對應 MOS 飽和區),且條件不符。
陷阱:勿直接用 $V_G$ 與 $V_t$ 比較,須用 $V_{GS}=V_G-V_S$。源極不接地時尤須留意。 
