某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_{t}=0.7\ V$ 、 $\mu_{n}C_{ox}\ (W/L)=50\ \mu A/V^{2}$ ，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，閘極（Gate）電壓 2.5 V，汲極（Drain）電壓 1.0 V，則此電晶體工作在那一區？

正確答案為 C。$V_{GS}=2>V_t$ 且 $V_{DS}=0.5<V_{OV}=1.3$,故工作於三極體區。

共 2 類科共用卷

鐵路人員考試高員三級-電子工程國安五等考試-電子組

電子學大意110 年第 2 題單選題

某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_{t} = 0.7 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 50 μ A / V^{2}$ ，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，閘極（Gate）電壓 2.5 V，汲極（Drain）電壓 1.0 V，則此電晶體工作在那一區？

A飽和區（Saturation Region）

B截止區（Cutoff Region）

C三極體區（Triode Region）正確答案

D主動區（Active Region）

答案與詳解

正確答案

V_{GS} = 2 > V_{t}

且

V_{D S} = 0.5 < V_{O V} = 1.3

,故工作於三極體區。

正確。 $V_{GS} > V_{t}$ 已導通,且 $V_{D S} < V_{O V}$ ,故工作於三極體(線性)區。

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