一個 NMOS 電晶體，其臨界電壓 $V_{t} = 0.5 V$ 。當輸入端電壓 $V_{GS} = 1.5 V$ 時之汲極飽和電流 $I_{D} = 1 m A$ ，則當 $V_{GS}$ 增為 2.5V 時其汲極飽和電流 $I_{D}$ 約為多大？

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mA正確答案

答案與詳解

正確答案

飽和區

I_{D} \propto (V_{GS} - V_{t})^{2}

,過驅動電壓由1V增為2V,電流變4倍,得4 mA。

正確, $(V_{GS} - V_{t})$ 從 1 V 增為 2 V,平方後電流為 4 倍 = 4 mA。

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一個 NMOS 電晶體，其臨界電壓 Vt​=0.5V 。當輸入端電壓 VGS​=1.5V 時之汲極飽和電流 ID​=1mA ，則當 VGS​ 增為 2.5V 時其汲極飽和電流 ID​ 約為多大？