鐵路人員考試高員三級-電子工程電子學大意107 年第 9 題單選題

一個 NMOS 電晶體，其臨界電壓 $V_{t} = 0.5 V$ 。當輸入端電壓 $V_{GS} = 1.5 V$ 時之汲極飽和電流 $I_{D} = 1 m A$ ，則當汲極飽和電流 $I_{D}$ 增為 4 mA 時，其 $V_{GS}$ 值為多大？

1.5

2

2.5

V正確答案

3

答案與詳解

正確答案

飽和區

I_{D} \propto (V_{GS} - V_{t})^{2}

,電流變4倍則過驅動電壓變2倍,

V_{GS} = 2.5

V。

正確。 $V_{GS} = V_{t} + V_{O V} = 0.5 + 2 = 2.5$ V。

載入中…

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一個 NMOS 電晶體，其臨界電壓 Vt​=0.5 V 。當輸入端電壓 VGS​=1.5 V 時之汲極飽和電流 ID​=1 mA ，則當汲極飽和電流 ID​ 增為 4 mA 時，其 VGS​ 值為多大？