圖中電晶體 M1 之 ${\mu }_n{C}_{ox}(W/L)=0.5mA/{\mathrm{V}}^2$，臨界電壓 $V_T=0.8\mathrm{V}$，若忽略通道調變效應且 M1 維持操作在飽和區（saturation region），則 $V_B$ 的最大值為何？

令飽和臨界條件 VDS=VGS-VT：設 VGS=VB，VT=0.8V，ID=(0.5/2)(VB-0.8)²=0.25(VB-0.8)²mA；VDS=6-4×ID=VB-0.8；令 x=VB-0.8：6-4×0.25x²=x → 6-x²=x → x²+x-6=0 → (x+3)(x-2)=0 → x=2（取正）→ VB=2+0.8=2.8V。驗算：ID=0.25×4=1mA，VDS=6-4=2V，VGS-VT=2V，VDS=VGS-VT，恰在飽和臨界。