初考-電子工程電子學大意112 年第 26 題單選題

如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的 $I_{D S S} = 1 m A$ 、 $V_{GS (T H)} = - 4 V$ ，若閘極電流 $I_{G}$ 可忽略不計，汲極電流與汲-源極電壓（ $I_{D}$ ， $V_{D S}$ ）值為何？

A（

1.5 mA

，

9 V

）

B（

2.25 mA

，

7.5 V

）正確答案

C（

3 mA

，

6 V

）

D（

3.5 mA

，

5 V

）

答案與詳解

正確答案

由分壓求 $V_{GS}=+2\text{ V}$，代入 Shockley 方程得 $I_D=2.25\text{ mA}$，$V_{DS}=12-I_D\cdot2k=7.5\text{ V}$。

$V_{GS}=+2\text{V}$ 代入得 $I_D=2.25\text{mA}$、$V_{DS}=7.5\text{V}$。

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如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的 IDSS​=1mA 、 VGS(TH)​=−4V ，若閘極電流 IG​ 可忽略不計，汲極電流與汲-源極電壓（ ID​ ， VDS​ ）值為何？