初考-電子工程電子學大意112 年第 26 題單選題
如圖所示電路，已知空乏型MOSFET的IDSS=1mA、VGS(TH)=−4 V，若閘極電流IG可忽略不計，汲極電流與汲-源極電壓（ID，VDS）值為何？
A（1.5 mA，9 V）
B（2.25 mA，7.5 V）正確答案
C（3 mA，6 V）
D（3.5 mA，5 V）
B正確答案
由分壓求 \(V_{GS}=+2\text{ V}\)，代入 Shockley 方程得 \(I_D=2.25\text{ mA}\)，\(V_{DS}=12-I_D\cdot2k=7.5\text{ V}\)。
