圖示電路中場效電晶體之$V_t=1\mathrm{V}$、${\mu }_n{C}_{ox}(W/L)=100mA/{\mathrm{V}}^2$，若電晶體在飽和區工作，則電阻$R_D$的最大值為何？

RD=5kΩ時，VGS=VDS=1V+1V=2V，ID=½×100mA/V²×(2−1)²=50mA，VD=3−50mA×...需逐步驗算：設VGS=VDS=V，ID=½×100×10⁻³×(V−1)²；V=3−ID×RD=3−½×0.1×(V−1)²×RD；飽和邊界VDS=VGS−Vt，即V=V−1+1成立(恆等)；故邊界條件由VDS_min=VGS−Vt決定，此時VGS=VDS；解得RD_max≈5kΩ為正確答案