有一如圖之空乏型 MOSFET 電路，若 $V_{SD} = 2.5 \, V$ ， $V_{tp} = 1.5 \, V$ ， $\mu_{p}C_{ox} \, (\mathrm{W/L}) = 1\mathrm{mA/V^{2}}$ ，當流過偏壓電阻 $R_{1}$ 、 $R_{2}$ 之電流為 $0.1I_{D}$ ，則 $R_{1}$ 、 $R_{2}$ 約為何？

正確答案為 B。空乏型 PMOS 偏壓計算：先由電流公式反推 V_SG，再利用分壓定理與電流條件解出 R1、R2 阻值。

【112 身心障礙人員考試身障五等-電子工程】電子學大意第26題：有一如圖之空乏型 MOSFET 電路，若 $… 答案與詳解

B

正確答案

空乏型 PMOS 偏壓計算：先由電流公式反推 V_SG，再利用分壓定理與電流條件解出 R1、R2 阻值。

正確答案。由 Id 公式反推得 Vsg=2.5V，因流過 R1R2 電流為 0.1Id，故總電阻 Rt=Vdd/(0.1Id)，再依 Vg 分壓比求得 R1=20.6k、R2=59.4k。

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