有一如圖之空乏型 MOSFET 電路，若 $V_{SD}$ = 2.5 V ， $V_{tp}$ = 1.5 V ，${\mu }_p{C}_{ox}$（W/L）= $1mA/{\mathrm{V}}^2$，當流過偏壓電阻 $R_1$、$R_2$ 之電流為 $0.1I_D$，則 $R_1$、$R_2$ 約為何？

計算流程：P通道MOSFET源極接RS(2kΩ)後連至+5V。VS=+5V−ID×RS。VSG=VS−VG，VSD=2.5V故VD=VS−2.5V。空乏型P通道工作於飽和區，ID=(1/2)μpCox(W/L)(VSG−|Vtp|)²=(0.5)(1mA/V²)(VSG−1.5)²。由VSD=2.5V且飽和條件VSD≥VSG−|Vtp|，設VSG=2V(使VSG−|Vtp|=0.5V)，則ID=0.5×1×(0.5)²=0.125mA。VS=5−0.125×2=4.75V，VG=VS−VSG=4.75−2=2.75V。偏壓電流=0.1ID=0.0125mA，電源為+5V到−5V共10V，總電阻=(R1+R2)=10V/0.0125mA=800kΩ。VG=−5+(R2/(R1+R2))×10=2.75V，故R2/800=7.75/10，R2≈620kΩ…需重新核算：實際以VSG讓飽和區成立，取VSG−|Vtp|使VSD(=2.5V)≥VSG−1.5。嘗試VSG=2.5V：ID=0.5×1×(1)²=0.5mA；VS=5−0.5×2=4V；VG=4−2.5=1.5V；偏壓電流=0.05mA；R1+R2=10/0.05=200kΩ；VG=−5+(R2/200)×10=1.5→R2/200=6.5/10→R2=130kΩ，R1=70kΩ，與選項不符。再試VSG=1.9V：ID=0.5×(0.4)²=0.08mA；VS=5−0.08×2=4.84V；VG=4.84−1.9=2.94V；偏壓電流=0.008mA；R1+R2=10/0.008=1250kΩ；VG=−5+(R2/1250)×10=2.94→R2=(7.94/10)×1250=992.5kΩ，R1=257.5kΩ，仍不符。就選項B(R1=20.6kΩ，R2=59.4kΩ)：R1+R2=80kΩ，偏壓電流=10/80k=0.125mA；VG=−5+(59.4/80)×10=−5+7.425=2.425V；ID=偏壓電流/0.1=1.25mA；VS=5−1.25×2=2.5V；VSG=2.5−2.425=0.075V，此值使|VSG|<|Vtp|，MOSFET不導通，矛盾。重新考量：P通道空乏型可在VSG<|Vtp|仍導通（空乏模式）。VG=2.425V，VS=2.5V，VSG=0.075V；ID=0.5×1×(0.075−(−1.5))²…空乏型Vtp=−1.5V時：ID=0.5×1×(VSG−Vtp)²=0.5×(0.075+1.5)²=0.5×2.480=1.24mA≈1.25mA ✓；偏壓電流=0.1×1.25=0.125mA；R1+R2=80kΩ✓；R2=59.4kΩ、R1=20.6kΩ完全吻合，答案B正確。