考慮如下電路中電容器 $C_{c}$ 對電壓增益之影響。假設所有電晶體的參數均為 $\beta=200, r_{\pi}=5.21 k\Omega, R_{1}=R_{3}=55 k\Omega, R_{2}=R_{4}=31 k\Omega, R_{C1}=R_{C2}=3.5 k\Omega, R_{E1}=R_{E2}=1 k\Omega$ 。下列電路中已知 $C_{c}=386 nF$ ，請問低頻響應的 3dB 頻率約為多少？

正確答案為 D。耦合電容決定低頻3dB頻率，需計算輸出端等效電阻與Cc組成之高通RC電路時間常數。

【112 身心障礙人員考試身障五等-電子工程】電子學大意第35題：考慮如下電路中電容器 $C_{c}$ 對電壓… 答案與詳解

D

正確答案

耦合電容決定低頻3dB頻率，需計算輸出端等效電阻與Cc組成之高通RC電路時間常數。

正確答案。低頻3dB頻率由Cc與從其兩端看入的總等效電阻R_eq構成高通濾波器，f_L=1/(2πR_eqCc)。經計算R_eq約為40kΩ量級，代入Cc=386nF得f_L≈19Hz，符合選項D。

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