身心障礙人員考試身障五等-電子工程電子學大意112 年第 7 題單選題考點:分壓關係誤解考點:NMOS反相器分析
在 NMOS 反相器電路中,當輸入 vi = VDD 時,若負載電阻 RD 變大,則輸出 v0 將會如何?
B正確答案
NMOS反相器輸入為VDD時MOSFET導通,RD變大→壓降增大→輸出v0降低,選B。
逐選項解析
A增大分壓關係誤解✕ 錯誤
RD變大使RD上壓降增加,v0=VDD-ID×RD反而降低,不會增大。
B降低NMOS反相器分析✓ 正確
vi=VDD時Q1導通,ID近似固定(由MOSFET特性決定)。RD增大→RD壓降=ID×RD增大→v0=VDD-ID×RD降低,輸出電壓下降。
立即註冊,看完整詳解
這題的完整詳解,註冊就能看 · 每天 2 題免費
精選詳解- 完整逐選項解析
- 秒殺解題技巧與破題關鍵
- 關鍵知識表整理
- 陷阱與易錯提醒
- 同考點歷屆題庫連續刷題與錯題本