身心障礙人員考試身障五等-電子工程電子學大意112 年第 7 題單選題
在 NMOS 反相器電路中,當輸入 vi = VDD 時,若負載電阻 RD 變大,則輸出 v0 將會如何?
B正確答案
NMOS反相器輸入為VDD時MOSFET導通，RD變大→壓降增大→輸出v0降低，選B。
為什麼答案是 B
vi=VDD時Q1導通，ID近似固定（由MOSFET特性決定）。RD增大→RD壓降=ID×RD增大→v0=VDD-ID×RD降低，輸出電壓下降。
載入中…
完整詳解
Pro · 無限重點 NMOS反相器輸入為VDD時MOSFET導通，RD變大→壓降增大→輸出v0降低，選B。
v0 = VDD - ID×RD，ID由MOSFET決定（近似固定），RD↑ → ID×RD↑ → v0↓，直接選B。
逐選項分析
A✕
RD變大使RD上壓降增加，v0=VDD-ID×RD反而降低，不會增大。
B✓ 正確
vi=VDD時Q1導通，ID近似固定（由MOSFET特性決定）。RD增大→RD壓降=ID×RD增大→v0=VDD-ID×RD降低，輸出電壓下降。
C✕ 陷阱
若誤以為v0與RD無關則選此，但RD明顯出現在壓降公式中，RD改變必然影響v0。
D✕
v0=VDD只有在Q1完全截止（vi=0）時才成立；vi=VDD時Q1導通，v0必小於VDD。
NMOS反相器兩種輸入狀態對照
| 輸入vi | Q1狀態 | ID電流 | v0輸出 |
|---|
| 0（低電位） | 截止（OFF） | ≈0 | ≈VDD（高） |
| VDD（高電位） | 導通（ON） | ID>0 | VDD-ID×RD（低） |
| VDD且RD變大 | 導通（ON） | ID近似不變 | v0更低↓ |
常見陷阱：誤以為RD變大會讓電流減小進而讓v0升高。但MOSFET導通時，在飽和區ID主要由VGS決定（≈固定），RD增大只是增加其上的壓降，使v0下降。若RD大到讓MOSFET退出飽和區則ID才會隨RD改變，但v0仍持續降低，選B仍正確。 
