Examly題庫立即開始練習
112 年地方特電子學大意11225單選題

有一如圖之 MOSFET 電路,若 V ,,則 應為何?

題目附圖
A2 V
B3 V
C4 V正確答案
D5 V
答案與詳解
C
正確答案
NMOS二極體接法(Gate接Drain),VGS=VDS,工作於飽和區,由KVL與ID公式聯立求VD≈4V。

為什麼答案是 C

設VD=VGS(Gate、Drain同節點,Source接地),飽和區ID=(100μ)(VD−2)²。KVL:VD=10−15k×ID。代入:VD=10−15k×100μ×(VD−2)²=10−1.5(VD−2)²。令x=VD−2:x+2=10−1.5x²→1.5x²+x−8=0→x=2(取正根),VD=4V。

考點:臨界電壓誤判考點:KVL自洽驗證考點:NMOS飽和區聯立
載入中…

電子學大意 相關題目

想練更多電子學大意考古題?

Examly 收錄 38 萬+ 道歷屆題目,每題都有像這樣的精選詳解。免費下載,立即開練。

Download on theApp Store即將推出Google Play
黑皮