圖示電路中加強型場效電晶體（FET）之$|V_{tp}|=1\text{V}$、${\mu }_p{C}_{ox}(W/L)=2{\text{mA/V}}^2$，若電壓 $V_D$ 為$-1\text{V}$，則電流 $I$ 約為何？

因閘極與汲極短路 (VG = VD)，元件操作於飽和區。VSG = 2 - (-1) = 3V。代入公式 I = (1/2) × μpCox(W/L) × (VSG - |Vtp|)² = (1/2) × 2 × (3 - 1)² = 4 mA。