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五等-電子工程電子學大意112 年第 8 題單選題

有一 N 通道空乏型 MOSFET，其臨限電壓 $V_{T} = - 2 V$ ，汲極電壓 $V_{D} = 2 V$ ，源極電壓 $V_{S} = - 1 V$ ，則下列閘極電壓何者可使此 MOSFET 工作在飽和區？

A

V_{G} = - 5

V

B

V_{G} = - 2

V正確答案

C

V_{G} = 5

V

D

V_{G} = 2

V

答案與詳解

B

正確答案

判斷 N 通道 MOSFET 飽和區需滿足「導通條件 V_GS > V_T」與「飽和條件 V_DS ≥ V_GS - V_T」，代入各選項電壓即可求得正解。

為什麼答案是 B

當 V_G = -2V 時，V_GS = -2 - (-1) = -1V。V_GS (-1V) > V_T (-2V) 故導通；且 V_DS (3V) ≥ V_GS - V_T (1V)，滿足飽和區條件，為本題正解。

載入中…

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