如圖電路若電晶體操作於飽和區，下列何種方式可使電晶體進入主動區？

增加 RE 後，射極電阻增大使得 VE 上升（IE×RE 增大），導致 VBE 維持下 VB 需更高，或等效使電晶體集極電流受限，VCE 增大，Q1 從飽和區退出進入主動區。同時 RE 增大使得電晶體難以維持 VCE(sat)，迫使工作點移至主動區。