某一增強型 MOSFET 其臨界電壓 Vt = 2 V，若源極接地而直流電源3 V 接到閘極，當VDS = 0.5 V 時，試問該 MOSFET 操作在什麼區域？
A崩潰區（breakdown region）
B飽和區（saturation region）
C三極管區（triode region）正確答案
D主動區（active region）
答案與詳解
為什麼答案是 C
VGS=3V > Vt=2V → MOSFET 導通。過驅動電壓 VGS-Vt=1V，而 VDS=0.5V < 1V，故操作於三極管區（線性/歐姆區）。
考點：崩潰區條件考點：飽和區條件考點：三極管區考點：BJT vs MOSFET 術語
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