初考-電子工程電子學大意108 年第 1 題單選題
一幾何比 W/L 固定的場效電晶體（FET）工作於飽和區，當過驅電壓 VOV（Overdrive Voltage）變為原來的 2 倍，則轉導 gm（Transconductance）將變為原來的：
B正確答案
MOSFET 飽和區轉導公式為 gm = k'(W/L)Vov。在 W/L 固定下，gm 與 Vov 成正比，因此 Vov 變 2 倍，gm 也變 2 倍。
為什麼答案是 B
在幾何比 W/L 固定的情況下，轉導 gm = k'(W/L)Vov。因為 k' 與 W/L 皆為常數，gm 與 Vov 成完全正比。Vov 變為 2 倍，gm 即變為 2 倍。
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完整詳解
Pro · 無限重點 MOSFET 飽和區轉導公式為 gm = k'(W/L)Vov。在 W/L 固定下，gm 與 Vov 成正比，因此 Vov 變 2 倍，gm 也變 2 倍。
看到「W/L 固定」且問「gm 與 Vov 關係」，秒想公式 gm ∝ Vov，兩者為一次方正比關係，直接選 2 倍。
逐選項分析
A✕
若 gm 不變（1倍），代表 gm 與 Vov 無關，但根據公式 gm = k'(W/L)Vov，兩者具備正比關係，故此選項錯誤。
B✓ 正確
在幾何比 W/L 固定的情況下，轉導 gm = k'(W/L)Vov。因為 k' 與 W/L 皆為常數，gm 與 Vov 成完全正比。Vov 變為 2 倍，gm 即變為 2 倍。
C✕ 陷阱
這是最常見的陷阱！如果題目問的是「汲極電流 ID」，因為 ID = (1/2)k'(W/L)Vov²，ID 與 Vov 的平方成正比，此時答案才會是 4 倍。
D✕
8 倍對應的是三次方關係，在 MOSFET 的基本直流分析公式中，並沒有參數與 Vov 呈三次方正比關係。
MOSFET 飽和區轉導 (gm) 三大公式比較
| 公式型態 | 核心變數關係 | 適用題型 (固定條件) |
|---|
| gm = k'(W/L)Vov | gm ∝ Vov | 已知 W/L 固定，探討 Vov 變化時 |
| gm = √(2k'(W/L)ID) | gm ∝ √ID | 已知 W/L 固定，探討 ID 變化時 |
| gm = 2ID / Vov | gm ∝ ID / Vov | 已知 ID 固定，探討 Vov 變化時 |
國考電子學極愛考 Vov 變化對各參數的影響。考生常把「轉導 gm」跟「汲極電流 ID」的公式搞混。記住：電流 ID 有平方 (Vov²)，轉導 gm 是電流對電壓的微分，次方降一階，所以只有一次方 (Vov)。 
