若某空乏型 NMOS 場效電晶體之臨界電壓為 Vt，其參數電流 IDSS 是電晶體：
A工作在三極管區（Triode）且電壓 VGS＝0V 之電流
B工作在三極管區（Triode）且電壓 VGS＝Vt 之電流
C工作在飽和區（Saturation）且電壓 VGS＝0V 之電流正確答案
D工作在飽和區（Saturation）且電壓 VGS＝Vt 之電流
答案與詳解
為什麼答案是 C
正解。IDSS（Drain-Source Saturation Current）即為空乏型 MOSFET 在閘源短路（VGS=0V）且工作於飽和區時的汲極電流，是資料手冊上的重要特性參數。
考點：工作區錯誤考點：雙條件錯誤考點：IDSS 定義考點：VGS 條件錯誤
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