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初考-電子工程電子學大意108 年第 3 題單選題

將一個 n-通道增強型 MOSFET 的汲極與閘極短路。此電晶體 $μ_{n} C_{o x} = 20 μ A / V^{2}$ ，W/L=10， $V_{t} = 0.5 V$ 。若使汲極電流為 100 $μ A$ ，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？

A

0.5 V

B

0.707 V

C

1 V

正確答案

D

1.414 V

答案與詳解

C

正確答案

汲閘短路使MOSFET處於飽和區,由

I_{D} = \frac{1}{2} μ_{n} C_{o x} (W / L) V_{O V}^{2}

解出

V_{O V} = 1

V。

逐選項解析

A0.5 V✕ 錯誤

0.5 V 為臨界電壓 $V_t$,並非過驅電壓,混淆兩者概念。

B0.707 V✕ 錯誤

0.707 V = $1/\sqrt{2}$,可能誤將係數 1/2 漏掉或誤算。

C1 V✓ 正確

D1.414 V✕ 錯誤

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