對於 n-通道增強型 MOSFET 的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？
A源極電壓提高時，源極與本體之間的空乏區會縮小
B源極電壓提高時，電晶體的臨界電壓下降
C變化源極對本體的電壓也可以影響汲極電流正確答案
D本體應接到電路的最高電壓
答案與詳解
為什麼答案是 C
變化源極對本體的電壓 (VSB) 會改變臨界電壓 (Vt)，而 Vt 的改變會直接影響汲極電流 (ID) 的大小。此現象使本體的作用類似於第二個閘極，又稱為「背閘極效應」。
考點：空乏區寬度考點：臨界電壓變化考點：背閘極效應考點：本體端接法
載入中…
