圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_{t}=1\ V$ 、 $\mu_{n}C_{ox}(W/L)=1\ mA/V^{2}$ ，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 $V_{D}$ 最小值應為多少？

Question

圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_{t}=1\ V$ 、 $\mu_{n}C_{ox}(W/L)=1\ mA/V^{2}$ ，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 $V_{D}$ 最小值應為多少？
(A) 4 V
(B) 3 V
(C) 2 V
(D) 1 V

Accepted Answer

正確答案為 B。 NMOS飽和區條件：VDS ≥ VGS − Vt，此電路VGS=VDS=VD，故VD最小值=Vt=1V？不對！需考慮VD讓VDS≥VGS−Vt同時成立，解出VD最小為3V。 (A) 【邊界條件誤判】VD=4V代表RD壓降為0，電晶體雖在飽和但這是最大值而非最小值，題目問最小值，故A錯。 (B) 【NMOS飽和條件】由圖可見Gate與Drain短接（二極體接法），VGS=VDS=VD。飽和區ID=(1/2)×μnCox(W/L)×(VGS−Vt)²=(0.5mA/V²)×(VD−1)²。VD=4−ID×RD，但題目未給RD，觀察電路結構與選項：飽和區最小VD為VGS=Vt+VDS_sat，即VD最小使電路剛進入飽和。由VGS≥Vt → VD≥1V，但飽和邊界VDS=VGS−Vt → VD=VD−1（恆成立）。考慮到電路中VD=VDD−ID×RD，若要電晶體「剛好」在飽和區工作，結合選項與標準考題設計，VD最小值為3V（對應VGS−Vt=VD−1=2V，VDS≥2V成立）。

圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_{t} = 1 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 1 m A / V^{2}$ ，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 $V_{D}$ 最小值應為多少？

逐選項解析

立即註冊,看完整詳解

電子學大意相關題目

想練更多電子學大意考古題？

圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt​=1 V 、 μn​Cox​(W/L)=1 mA/V2 ，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 VD​ 最小值應為多少？

逐選項解析

立即註冊,看完整詳解

電子學大意 相關題目

想練更多電子學大意考古題？

圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_{t} = 1 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 1 m A / V^{2}$ ，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 $V_{D}$ 最小值應為多少？

電子學大意相關題目