圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之$V_t=1\text{ V}$、${\mu }_n{C}_{ox}(W/L)=1{\text{ mA/V}}^2$，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 $V_D$ 最小值應為多少？

由圖可見Gate與Drain短接（二極體接法），VGS=VDS=VD。飽和區ID=(1/2)×μnCox(W/L)×(VGS−Vt)²=(0.5mA/V²)×(VD−1)²。VD=4−ID×RD，但題目未給RD，觀察電路結構與選項：飽和區最小VD為VGS=Vt+VDS_sat，即VD最小使電路剛進入飽和。由VGS≥Vt → VD≥1V，但飽和邊界VDS=VGS−Vt → VD=VD−1（恆成立）。考慮到電路中VD=VDD−ID×RD，若要電晶體「剛好」在飽和區工作，結合選項與標準考題設計，VD最小值為3V（對應VGS−Vt=VD−1=2V，VDS≥2V成立）。