MOS 電晶體操作於飽和模式(Saturation mode)時,參數轉導 gm 與汲極電流 ID 的關係約為:

地方特考電子學大意106 年第 28 題單選題

如圖為 MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation mode）之 π 型小訊號等效電路，其中參數轉導 $g_{m}$ 與汲極電流 $I_{D}$ 的關係約為：

g_{m}

正比於

1/ I_{D}

g_{m}

正比於

1/ I_{D}

g_{m}

正比於

I_{D}

正確答案

g_{m}

正比於

I_{D}

答案與詳解

正確答案

MOSFET飽和區轉導gm = √(2μnCox·W/L·ID)，gm正比於√ID，選C。

飽和區ID = (1/2)μnCox(W/L)(VGS−Vth)²，對VGS微分得gm = μnCox(W/L)(VGS−Vth) = √(2μnCox(W/L)·ID)，故gm ∝ √ID。

考點：gm與ID反比誤解考點：gm與1/√ID混淆考點：gm正比√ID考點：MOSFET vs BJT混淆

載入中…

Examly 收錄 38 萬+ 道歷屆題目，每題都有像這樣的精選詳解。免費下載，立即開練。