如圖示電路,VCC = +10 V,RB1 = 200 kΩ,RB2 = 200 kΩ,RC = 5 kΩ,RE = 1 kΩ,電晶體電流放大率 β = 100,則此電晶體工作在:

A截止區
B主動區(active region)
C飽和區(saturation region)正確答案
D逆向主動區(reverse active region)
答案與詳解

計算步驟:VB=VCC×RB2/(RB1+RB2)=10×200/400=5V;假設主動區IC=βIB≈4.26mA,則VC=10-4.26mA×5kΩ=-1.3V(低於0V)。VC < VB,集極接面順偏,電晶體進入飽和區。飽和時VCE(sat)≈0.2V,VC=VE+0.2≈4.5V,IC(sat)=(VCC-VCE(sat)-VE)/RC=(10-0.2-4.3)/5k≈1.1mA << βIB,確認飽和。
