五等-電子工程電子學大意106 年第 8 題單選題考點:計算錯誤考點:VDS混淆
有一 n 通道的 MOS 電晶體,其 μnCox=50μA/V2,VT,on=1.0V,λn=(0.1/L)V−1 ,其中 L 的單位為 μm ,若 W=10μm,L=10μm,VDS=4V ,試求欲使 gm=50μA/V ,則 VGS 應為多少?
D正確答案
NMOS 飽和區 gm 公式反推 VGS,代入參數計算得過驅電壓 1V,加上 VT 即為 2V。
逐選項解析
A5 V計算錯誤✕ 錯誤
若誤將 Vov 當作 VGS 再加錯倍數,或計算時 W/L 比值代反,可能得出此錯誤數值。實際上 Vov 僅需 1V 即可達到目標 gm。
B4 VVDS混淆✕ 易錯陷阱
陷阱選項:直接拿題目給的 VDS=4V 減去某個值,或誤以為 VGS 必須等於 VDS。實際上 VGS 與 VDS 無直接等式關係,僅需滿足飽和條件。
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