有一 n 通道的 MOS 電晶體，其 $\mu_{n}C_{ox}=50\mu A/V^{2}, V_{T,on}=1.0V, \lambda_{n}=(0.1/L)V^{-1}$ ，其中 L 的單位為 $\mu m$ ，若 $W=10\mu m, L=10\mu m, V_{DS}=4V$ ，試求欲使 $g_{m}=50\mu A/V$ ，則 $V_{GS}$ 應為多少？

正確答案為 D。NMOS 飽和區 gm 公式反推 VGS，代入參數計算得過驅電壓 1V，加上 VT 即為 2V。

【106 五等-電子工程】電子學大意第8題：有一 n 通道的 MOS 電晶體，其 $\m… 答案與詳解

D

正確答案

NMOS 飽和區 gm 公式反推 VGS，代入參數計算得過驅電壓 1V，加上 VT 即為 2V。

正確解法：由 gm=μnCox(W/L)(VGS-VT) 反推，50μ=50μ×(10/10)×(VGS-1)，解得 VGS-1=1，故 VGS=2V。且驗證 VDS=4V > Vov=1V，確實在飽和區。

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