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初考-電子工程電子學大意111 年第 1 題單選題

某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_{t} = 1 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 50 μ A / V^{2}$ ，今若其電壓 $V_{GS} = 2 V$ ，則其轉導 gm （Transconductance）為若干 $μ A / V$ ?

A25

B50正確答案

C100

D200

答案與詳解

B

正確答案

飽和區

g_{m} = μ_{n} C_{o x} (W / L) (V_{GS} - V_{t}) = 50 \times 1 = 50 μ A/V

。

逐選項解析

A25✕ 錯誤

25:可能誤用 $\frac{1}{2}\mu_n C_{ox}(W/L)(V_{GS}-V_t)$(此為 $I_D$ 的係數,不是 $g_m$),錯誤。

B50✓ 正確

C100✕ 錯誤

100:可能誤把 $V_{GS}=2$ 直接代入而未扣 $V_t$,得 $50\times2=100$,錯誤。

D200✕ 錯誤

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