初考-電子工程電子學大意111 年第 1 題單選題

某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_{t} = 1 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 50 μ A/V^{2}$ ，今若其電壓 $V_{GS} = 2 V$ ，則其轉導 $g_{m}$ （Transconductance）為若干 $μ A/V$ ?

A25

B50正確答案

C100

D200

答案與詳解

正確答案

飽和區

g_{m} = μ_{n} C_{o x} (W / L) (V_{GS} - V_{t}) = 50 \times 1 = 50 μ A/V

。

50:正確套用 $g_{m} = μ_{n} C_{o x} (W / L) (V_{GS} - V_{t}) = 50 \times 1 = 50 μ A/V$ 。

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某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt​=1 V、μn​Cox​(W/L)=50 μA/V2，今若其電壓 VGS​=2 V，則其轉導 gm​（Transconductance）為若干 μA/V?