某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_{t}=1\ V$ 、 $\mu_{n}C_{ox}(W/L)=50\ \mu A/V^{2}$ ，今若其電壓 $V_{GS}=2\ V$ ，則其轉導 gm （Transconductance）為若干 $\mu A/V$ ?

正確答案為 B。飽和區 $g_m = \mu_n C_{ox}(W/L)(V_{GS}-V_t) = 50\times1 = 50\ \mu\text{A/V}$。

初考-電子工程電子學大意111 年第 1 題單選題

某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_{t} = 1 V$ 、 $μ_{n} C_{o x} (W / L) = 50 μ A / V^{2}$ ，今若其電壓 $V_{GS} = 2 V$ ，則其轉導 gm （Transconductance）為若干 $μ A / V$ ?

A25

B50正確答案

C100

D200

答案與詳解

正確答案

飽和區

g_{m} = μ_{n} C_{o x} (W / L) (V_{GS} - V_{t}) = 50 \times 1 = 50 μ A/V

。

50:正確套用 $g_{m} = μ_{n} C_{o x} (W / L) (V_{GS} - V_{t}) = 50 \times 1 = 50 μ A/V$ 。

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