有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I1}$ 、 $V_{I2}$ 的電壓波形如下所示， $V_{CC} = 5 \, \text{V}$ ， $R_1 = R_2 = 1 \, \text{k}\Omega$ ， $R_3 = R_4 = 100 \, \Omega$ ， $C_L = 5 \, \mu\text{F}$ ，電晶體電流增益 $\beta_{Q1} = \beta_{Q2} = 100$ 。試研判輸出接腳 $V_O$ 在低準位輸出（ $V_O@LO$ ）時最可能的工作電壓：

正確答案為 C。Si-BJT 飽和時 VCE(sat) 約 0.2V，故低準位輸出必介於 0V 至 0.4V 之間。

【111 初考-電子工程】電子學大意第2題：有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及… 答案與詳解

C

正確答案

Si-BJT 飽和時 VCE(sat) 約 0.2V，故低準位輸出必介於 0V 至 0.4V 之間。

矽 BJT 進入飽和區時，集極-射極飽和壓降 VCE(sat) 典型值約 0.1V~0.3V。本題 β=100 且負載電阻相對較大，確保電晶體深度飽和，故 VO@LO 落在 0V~0.4V 範圍內。

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