有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I1}$ 、 $V_{I2}$ 的電壓波形如下所示， $V_{CC} = 5 \, ext{V}$ ， $R_1 = R_2 = 1 \, ext{k…

Question

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I1}$ 、 $V_{I2}$ 的電壓波形如下所示， $V_{CC} = 5 \, 	ext{V}$ ， $R_1 = R_2 = 1 \, 	ext{k}\Omega$ ， $R_3 = R_4 = 100 \, \Omega$ ， $C_L = 5 \, \mu	ext{F}$ ，電晶體電流增益 $\beta_{Q1} = \beta_{Q2} = 100$ 。試研判輸出接腳 $V_O$ 在低準位輸出（ $V_O@LO$ ）時最可能的工作電壓：
(A) $V_{O}$ @ LO < 0 V
(B) $V_{O}$ @ LO = 0 V
(C) $0.4\mathrm{V} > V_{O}$ @ LO>0 V
(D) $V_{O}$ @ LO > 0.4 V

Accepted Answer

正確答案為 C。 Si-BJT 飽和時 VCE(sat) 約 0.2V，故低準位輸出必介於 0V 至 0.4V 之間。 (A) BJT 為單極性電源供電（VCC=5V），且無負電源或電感反電動勢機制，輸出電壓不可能低於地電位 0V。此選項違反基本電路物理限制。 (B) 理想開關模型中飽和壓降為 0V，但實務上矽 BJT 存在 VCE(sat)。考選部電子學題目若強調「Si-BJT」與具體參數，通常要求考慮非理想特性，而非理想 0V。

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