有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q1 的集極電流比較低的時間點：
A0
Bt1
CT正確答案
Dt2
答案與詳解
為什麼答案是 C
T時刻VI2波形明確標示為0V。VBE=0V，無法超過矽BJT導通門檻0.7V，Q1完全截止，集極電流IC1≈0，為所有時刻中最低。
考點：BJT工作區判斷考點：BJT導通條件考點：BJT截止區考點：BJT飽和區
載入中…
