下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？
AA 層
BB 層
CC 層正確答案
DD 層
答案與詳解
為什麼答案是 C
C層厚度僅0.01μm（10nm），位於閘極導體D層（0.5μm）與半導體通道/基板之間，是典型MOS結構的閘極氧化層（Gate Oxide），極薄且水平延伸覆蓋通道區域，符合SiO₂閘極絕緣層特徵。
考點：p型基板/Body考點：n⁺源汲摻雜層考點：閘極氧化層Gate Oxide考點：閘極導體電極
載入中…
