矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：
A0.2 V
B0.3 V
C0.7 V正確答案
D1 V
答案與詳解
為什麼答案是 C
矽 BJT 在飽和區時 B-E 接面順偏，VBE 約 0.7V（有時題目會給 0.6~0.8V 範圍）。此為標準導通電壓，主動區與飽和區皆同。
考點：VCE(sat)混淆考點：鍺vs矽考點：矽BJT VBE考點：電壓過高
載入中…
矽 BJT 在飽和區時 B-E 接面順偏，VBE 約 0.7V（有時題目會給 0.6~0.8V 範圍）。此為標準導通電壓，主動區與飽和區皆同。
