以增強型 N 通道 MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？
A夾止飽和區作為開關 ON 的主要特性區域正確答案
B截止區作為開關 OFF 的主要特性區域
C以閘極電壓 VGS 控制開關 ON 和 OFF
D閘極電壓值 VGS 會影響汲極和源極間等效電阻值 RDS 的大小
答案與詳解
為什麼答案是 A
錯誤敘述(本題要選的答案)。MOSFET 作開關時，ON 狀態應工作於『三極管區/線性區/歐姆區』，此時 VDS 很小、RDS 很低，才能當良好導通開關。飽和區是放大器的工作區。
考點：開關工作區考點：截止區=OFF考點：電壓控制考點：RDS受VGS控制
載入中…
