圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_t=1\text{V}$、${\mu }_n{C}_{ox}(W/L)=2{\text{mA/V}}^2$，欲電晶體在飽和區工作，電阻 $R_D$ 的最大值約為何？

由電路圖：VDD=5V，閘極分壓3MΩ/2MΩ，VG=5×2/(3+2)=2V；源極接2kΩ到地，設ID，VS=2kΩ×ID；VGS=VG−VS=2−2000·ID；飽和條件ID=(1/2)·2mA/V²·(VGS−1)²；VGS=2−2000·ID代入，解得VGS≈1.5V或0.5V（有效值1.5V），ID=(1/2)·2·(0.5)²=0.25mA；VDS≥VGS−Vt=0.5V；VD=5−RD·0.25mA；VS=2kΩ×0.25mA=0.5V；VDS=VD−VS=5−0.25mA·RD−0.5=4.5−0.25mA·RD≥0.5V；RD≤4/0.25mA=16kΩ，答案為16kΩ。