初考-電子工程電子學大意109 年第 27 題單選題

如圖所示之電路，假設電晶體 M 之參數如下： $μ_{n} C_{o x}$ = 200 $μ A / V^{2}$ ， $V_{T H}$ = 0.4 V 且 $λ$ = 0；若跨在電阻 $R_{S}$ 上之電壓為 300 mV，欲使 M 維持在飽和區之最小可容許之 $W / L$ 值為何？

A20

B40

C60

D80正確答案

答案與詳解

正確答案

由RS電壓求ID=2mA，再利用飽和區邊界條件VDS=VGS-VTH反推最小W/L=80

ID=2mA，飽和邊界VDS=VGS-VTH=0.5V，故VGS=0.9V，代入ID=(1/2)μnCox(W/L)(VGS-VTH)²得W/L=80

載入中…

如圖所示之電路，假設電晶體 M 之參數如下：μn​Cox​ = 200 μA/V2，VTH​ = 0.4 V 且 λ = 0；若跨在電阻 RS​ 上之電壓為 300 mV，欲使 M 維持在飽和區之最小可容許之 W/L 值為何？