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初考-電子工程電子學大意109 年第 6 題單選題

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I 1}$ 、 $V_{I 2}$ 的電壓波形如下所示， $V_{C C} = 5 V$ ， $R_{1} = R_{2} = 1 k Ω$ ， $R_{3} = R_{4} = 100 Ω$ ， $C_{L} = 5 μ F$ ，電晶體電流增益 $β_{Q 1} = β_{Q 2} = 100$ 。試研判電晶體 $Q_{2}$ 在時間點 T 最可能的工作模式：

題目圖片

A飽和模式（Saturation mode）

B線性模式（Linear mode）

C主動模式（Active mode）正確答案

D截止模式（Cut-off mode）

答案與詳解

C

正確答案

射極隨耦器（共集極）組態的電晶體，集極接最高電位 Vcc，集基接面恆逆偏，故只會工作在主動區或截止區。T 點時 Q2 導通，故為主動模式。

為什麼答案是 C

正確。T 點時 VI1=5V，Q2 之發射基極接面（EBJ）順偏而導通；又因組態限制 CBJ 恆逆偏，故 Q2 必工作於主動模式（Active mode）。

載入中…

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