有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q2 在時間點 T 最可能的工作模式：
A飽和模式（Saturation mode）
B線性模式（Linear mode）
C主動模式（Active mode）正確答案
D截止模式（Cut-off mode）
答案與詳解
為什麼答案是 C
時間點T，VI2為高電位使Q2基極電壓超過VBE(on)≈0.7V，BE接面正偏導通；集極端電壓仍高於基極電壓，BC接面逆偏，符合主動模式（Active mode）定義：VBE>0.7V且VBC<0。
考點：BJT飽和條件考點：名詞辨別考點：BJT主動模式考點：BJT截止條件
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