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初考-電子工程電子學大意10931單選題

關於 MOSFET 的本質增益 gmro,下列敘述何者正確?

Agmro 與過驅電壓(VGS −VTH)成正比
Bgmro 與過驅電壓(VGS −VTH)成反比正確答案
Cgmro 與偏壓電流 ID 成正比
Dgmro 與偏壓電流 ID 成反比
答案與詳解
B
正確答案
MOSFET 本質增益 gm·ro ∝ 1/(VGS−VTH),與過驅電壓成反比,答案選 B。

為什麼答案是 B

正確。gm=2ID/Vov,ro≈1/(λID),相乘 gm·ro=2/(λ·Vov),與過驅電壓 Vov=(VGS−VTH) 成反比。這就是為何類比電路偏壓要用小 Vov 換高增益。

考點:方向顛倒考點:本質增益公式考點:ID 抵消
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