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初考-電子工程電子學大意1094單選題

圖示電路中場效電晶體(FET)之 VTH = −0.7 V,下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區(Saturation Region)?

題目附圖
AVG = 5 V、VD = 4 V
BVG = 4 V、VD = 4 V正確答案
CVG = 3 V、VD = 4 V
DVG = 2 V、VD = 4 V
答案與詳解
B
正確答案
P通道空乏型MOSFET(VTH=-0.7V),飽和區條件:VSD ≥ VSD(sat)=VSG+VTH,代入各選項逐一驗證。

為什麼答案是 B

VG=4V → VSG=5-4=1V > 0.7V(通道開啟✓);VSD=5-4=1V;VSD(sat)=VSG-|VTH|=1-0.7=0.3V;VSD=1V ≥ 0.3V(飽和條件✓),工作在飽和區。

考點:P-ch截止條件考點:P-ch飽和條件考點:P-ch線性區判斷
載入中…

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