初考-電子工程電子學大意114 年第 7 題單選題考點：壓降計算錯誤考點：Shockley+KVL

如圖所示 JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區， $V_{P} = - 3 V$ ， $I_{D S S} = 18 mA$ ， $V_{GS} = - 2 V$ ， $V_{D S}$ 為何？

A1.9 V

B9.2 V正確答案

C11 V

D15 V

答案與詳解

正確答案

JFET自偏壓電路，已知VGS=-2V，用Shockley方程式求ID，再由克希荷夫電壓定律求VDS≈9.2V

逐選項解析

A1.9 V壓降計算錯誤✕ 易錯陷阱

1.9V僅等於RD上的壓降(ID×RD = 2mA×1.9kΩ = 3.8V)，不是正確的VDS計算結果，容易誤算為只扣除RD壓降。

B9.2 VShockley+KVL✓ 正確

步驟1：由Shockley方程式ID = 18mA×(1-(-2)/(-3))² = 18mA×(1/3)² = 2mA。步驟2：VGS = -ID×RS → RS = 2V/2mA = 1kΩ。步驟3：VDS = VDD - ID(RD+RS) = 15 - 2mA×(1.9k+1k) = 15 - 5.8 = 9.2V。

C11 V✕ 易錯陷阱

D15 V✕ 錯誤

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