有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？
A輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似
B輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似
C輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似正確答案
D輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似
答案與詳解
為什麼答案是 C
正解。IGBT 輸入端為 MOS 結構，高輸入阻抗、電壓控制；輸出端為 PNP＋NPN 類 BJT 結構，具低導通壓降、可承受大電流大電壓。
考點：MOSFET 特性考點：BJT 特性考點：IGBT 混合特性考點：前後顛倒陷阱
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