下列有關「絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）」之特性敘述何者錯誤？
A具有雙極性接面電晶體（BJT）的輸出特性
B與金氧半場效電晶體（MOSFET）相同，為電壓控制電流源元件
C其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極
D相較於雙極性接面電晶體（BJT）而言，其切換速度較慢正確答案
答案與詳解
為什麼答案是 D
錯誤！IGBT 因閘極為 MOS 結構（電壓驅動），切換速度比 BJT『快』；但比純 MOSFET 慢。題目把比較對象搞反了，這是本題陷阱。
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錯誤！IGBT 因閘極為 MOS 結構（電壓驅動），切換速度比 BJT『快』；但比純 MOSFET 慢。題目把比較對象搞反了，這是本題陷阱。
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