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警察鐵路電子學大意1127單選題

P 通道加強型金氧半場效電晶體(MOSFET)的閘-源極電壓(VGS)在下列何種情況才能形成通道?(VT 為臨界電壓)

AVGS>VT>0
BVT>VGS>0
C0>VT>VGS正確答案
D0>VGS>VT
答案與詳解
C
正確答案
P 通道增強型 MOSFET 的 VT 為負值,須 VGS 比 VT 更負才能形成通道,即 0>VT>VGS。

為什麼答案是 C

正解。P 通道增強型 VT<0,需 VGS 更負(VGS<VT<0),等價寫法即 0>VT>VGS,此時源極到閘極的電場才足以感應電洞通道。

考點:N型條件混淆考點:正負號錯誤考點:P型導通條件考點:未達臨界
載入中…

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