P 通道加強型金氧半場效電晶體（MOSFET）的閘-源極電壓（VGS）在下列何種情況才能形成通道？（VT 為臨界電壓）
A$V_{GS} > V_{T} > 0$
B$\mathrm{V_T > V_{GS} > 0}$
C$0 > \mathrm{V}_{\mathrm{T}} > \mathrm{V}_{\mathrm{GS}}$正確答案
D$0 > \mathrm{V}_{\mathrm{GS}} > \mathrm{V}_{\mathrm{T}}$
答案與詳解
為什麼答案是 C
正解。P 通道增強型 VT<0，需 VGS 更負（VGS<VT<0），等價寫法即 0>VT>VGS，此時源極到閘極的電場才足以感應電洞通道。
載入中…
