P 通道加強型金氧半場效電晶體（MOSFET）的閘-源極電壓（VGS）在下列何種情況才能形成通道？（VT 為臨界電壓）
A$V_{GS} > V_{T} > 0$
B$\mathrm{V_T > V_{GS} > 0}$
C$0 > \mathrm{V}_{\mathrm{T}} > \mathrm{V}_{\mathrm{GS}}$正確答案
D$0 > \mathrm{V}_{\mathrm{GS}} > \mathrm{V}_{\mathrm{T}}$
答案與詳解
逐選項解析
A$V_{GS} > V_{T} > 0$✕ 易錯陷阱
這是 N 通道增強型的條件（VGS>VT>0），方向完全相反。P 通道需要負電壓吸引電洞形成通道。
B$\mathrm{V_T > V_{GS} > 0}$✕ 錯誤
VT 與 VGS 都為正且 VGS<VT，對 P 通道增強型完全不成立，因為 P 型 VT 本身就是負值。
C$0 > \mathrm{V}_{\mathrm{T}} > \mathrm{V}_{\mathrm{GS}}$✓ 正確
D$0 > \mathrm{V}_{\mathrm{GS}} > \mathrm{V}_{\mathrm{T}}$✕ 易錯陷阱
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